王文博
姓名：王文博
职称：研究员
所在团队：先进材料研究院
研究方向：功率模块及高频电源
办公电话：010-61772819
办公地址：主楼D座1114室
电子邮箱：wenbo.wang@ncepu.edu.cn
一、个人简介
王文博，研究员，主要从事主要从事高转换效率、高功率密度、高可靠性电力电子系统研究，研究方向包括半导体功率模块设计、高频磁器件集成、系统级封装、高频、高功率密度电源。曾主持开发行业内首个埋入式封装的碳化硅半桥功率模块，压接型封装碳化硅功率模块，基于磁集成的兆赫兹百瓦级氮化镓电源模块等。研究成果曾获国际第三代半导体创新创业大赛三等奖，国际工业电子协会年会 （IECON）最佳会议论文奖等，出版个人专著1部，申请中国发明专利30余项，PCT专利2项，发表学术论文40余篇。入选深圳市海外高层次人才计划，宁波甬江人才工程。
二、教育与工作经历
教育经历：
2010.10-2017.10 代尔夫特理工大学，电力电子，博士，博士后
2008.09-2010.07 西北工业大学，电力电子与电力传动，硕士2004.09-2008.06 西北工业大学，自动化，学士
工作经历：
2025.11-至今 华北电力大学先进材料研究院 研究员
2022.050- 2025.10 甬江实验室，第三代半导体功率器件测试与
用研究组，负责人
2021.09- 2022.02 青未科技（深圳）有限公司，总经理
2019.06- 2021.08 深圳第三代半导体研究院器件应用所 ，副教授，所长
2017.05- 2019.05 北京代尔夫特智能科技研究院有限公司，技术专家
三、教学与人才培养成果
1. 学生获得荣誉
与荷兰代尔夫特理工大学、特文特大学联合培养功率模组先进封装、高可靠性设计方向博士生4人，已毕业2人。
2022年IEEE International Power Electronics and Application Conference and Exposition（PEAC）会议论文奖
2024年IEEE Transaction on Power Electronics 期刊月度Highlighted Paper
四、主要科研项目
[1] 中国-荷兰国际合作项目，氮化镓兆赫兹异质集成电源模块研究，2020-2024, 主持，已结题
[2] 江苏省基础研究计划重点项目，高频低损耗纳米晶软磁合金材料设计及性能调控研究，2024-2027, 课题负责人、技术骨干，在研
[3] 浙江省创新团队建设项目，氧化物功能薄膜与器件异构集成，2024-2026，技术骨干，在研
[4] 广东省第三代半导体技术创新中心项目，第三代半导体高频、高效、高功率密度应用研究，2019-2021，主持，已结题
[5] 宁波市科技创新领域人才项目，高功率密度氮化镓电源，2022-2025，主持，已结题
[6] 宁波市人才引进项目，基于多物理场模型的第三代半导体功率器件可靠性研究，2022-2025，主持，已结题
[7] 企业横向课题，基于第三代半导体功率器件的高效率、小体积光伏逆变器装置研究，2023-2024，主持，已结题
[8] 企业横向课题，硅基氮化镓单片集成工艺技术研究，2018-2022，主持，已结题
五、代表性论文
1. Lei Wang, Wenbo Wang*, Keqiu Zeng, Junyun Deng, Gert Rietveld, Ray Hueting, Opportunities and Challenges of Pressure Contact Packaging for Wide Bandgap Power Modules. IEEE Transaction on Power Electronics, 2024, 39(2) pp. 2401-2419
2. Junyun Deng, Wenbo Wang*, Zhansheng Ning, Prasanth Venugopal, Jelena Popovic, Gert Rietveld, High-Frequency Core Loss Modeling Based on Knowledge-Aware Artificial Neural Network. IEEE Transaction on Power Electronics, 2024, 39(2) pp. 1968-1973
3. Lisheng Wang, Wenbo Wang*, Raymond J. E. Hueting, Gert Rietveld, J A Ferreira, Review of Topside Interconnections for Wide Bandgap Power Semiconductor Packaging. IEEE Transaction on Power Electronics, 2023, 38(1) pp. 472-490.
4. Chengbing Pan,Wenbo Wang*, Ruomeng Zhang,Xinyuan Zheng, Xueyan Li, Yesen Han,Yibo Ning,Haoding Zhang, Lixia Zhao*, Degradation Mechanisms of p-GaN Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Under High-Temperature Reverse Bias Stress,IEEE Transactions on Electron Devices , 2025, 72(8), pp.4056 - 4062
5. Lei Wang, Wenbo Wang*,Keqiu Zeng, Ruomeng Zhang, Gert Rietveld, Raymond J. E. Hueting，A Double-Sided Cooling SiC Power Module With Pressure Contact Packaging. IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics,2025, 13(5), pp.5713 - 5722
6. Fengze Hou, Wenbo Wang*, Rui Ma, Yonghao Li, Zhonglin Han, Meiying Su, Jun Li, Zhongyao Yu,Yang Song, Qidong Wang, Min Chen, Liqiang Cao, Guoqi Zhang, J A Ferreira, Fan-out Panel-level PCB Embedded SiC Power MOSFETs Packaging. IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 2020, 8(1) pp. 367-380
7. Xiaoqi Li, Lei Wang, Chenshan Gao, Wenbo Wang*, Reliability Perspective on Nano-silver Sintering in SiC Power Modules. Space-Science & Technology, 2025, 5 pp. 0268.